秦国刚（中国科学院院士）

秦国刚

中国科学院院士

秦国刚，1934年3月19日出生于江苏南京，原籍江苏昆山，半导体材料物理专家，中国科学院院士，北京大学物理学院教授、博士生导师。

秦国刚于1961年从北京大学物理系研究生毕业后留校任教，先后担任讲师、副教授、教授、博士生导师；2001年当选为中国科学院院士；2008年获得何梁何利基金科学与技术进步奖；2013年获得北京大学国华杰出学者奖。

秦国刚长期从事半导体材料和器件物理研究，在半导体中杂质缺陷、深能级、肖特基势垒、纳米硅/氧化硅材料体系发光、纳米化合物半导体材料与器件物理和硅基有机半导体发光等领域做出系统、深入和创造性的研究成果。

人物经历

学习经历

1956年7月，从北京大学物理系本科毕业，之后在该系读研究生，师从物理学家黄昆教授，研究方向为固体物理学。

1961年2月，从北京大学物理系研究生毕业后留校任教。

工作经历

1962年至1970年，担任北京大学物理系讲师。

1970年至1979年，担任北京大学汉中分校无线电系讲师。

1979年至1985年，担任北京大学物理系副教授。

1985年，担任北京大学物理系（2001年以后物理学院）教授。

1986年，被评为北京大学物理系博士生导师。

2001年，当选为中国科学院院士。

主要成就

科研成就

秦国刚在半导体杂质与缺陷领域研究中，最早揭示硅中存在含氢的深中心发现退火消失温度原本不同的各辐照缺陷在含氢硅中变得基本相同发现氢能显著影响肖特基势垒高度。测定的硅中铜的深能级参数被国际权威性半导体数据专著采用。

在多孔硅和纳米硅镶嵌氧化硅光致发光和电致发光方面的研究中，对光致发光提出量子限制－发光中心模型，得到国际广泛支持发现p型硅衬底上氧化硅发光中心电致发光现象，在此基础上，设计并研制出一系列硅基电致发光新结构。所提出的电致发光机制模型被广泛引用。

人才培养

根据2020年4月北京大学物理学院网站显示，秦国刚先后指导博士生和硕士生和博士后60余名。博士生中金鹰获第21届半导体物理国际会议最佳青年论文奖和叶企孙物理奖一等奖，林军获叶企孙物理奖二等奖，2012年孟虎获国家奖学金

个人生活

在秦国刚看来，科研与业余爱好并不矛盾，当遇到难以攻克的问题时，适当的放松或许能给自己一点空间。听古典音乐、欣赏中外绘画、看历史题材的书籍和电视剧都是他紧张工作之余的消遣方式。历史赋予他厚重，音乐赋予他灵感，他希望这样能够保持思维的灵敏，能够较持久地进行科研。

人物评价

秦国刚在科研岗位上奋斗了半个世纪，他以极大精力投入到为国家培养科技人才的光荣事业中，为弘扬科学精神、传承科学文化起到了重要作用。他始终怀着满腔的爱国热情，忠诚于党和人民的事业。他秉承严谨求学的治学态度和淡泊明志的高尚情操，无私奉献、呕心沥血、教诲提携，为中国的半导体科学和教育事业做出了突出贡献。（北京大学评）

秦国刚教授教书育人，以身作则，循循善诱，诲人不倦。（何梁何利基金会评）

参考资料

1.秦国刚·中国科学院